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FQT5P10TF中文资料

FQT5P10TF图片

FQT5P10TF外观图

  • 大小:668.7KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: P CHANNEL MOSFET, -100V, 1A SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):820mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.05 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:8.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:250pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FQT5P10TF-NDFQT5P10TFTR

FQT5P10TF供应商

更新时间:2023-01-31 18:59:54
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